2", 3" és 4" indium-arzenid ostya

2", 3" és 4" indium-arzenid ostya

Az InAs egykristályok szubsztrátként szolgálhatnak az InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, heterojunkciós és InAs/GaSb szuperrácsszerkezetek növekedéséhez.
A szálláslekérdezés elküldése
Inas

 

Az InAs egykristályok szubsztrátként szolgálhatnak az InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, heterojunkciós és InAs/GaSb szuperrácsszerkezetek növekedéséhez. Ezekkel a struktúrákkal 2 és 14 μm közötti hullámhosszúságú közép-infravörös kvantumkaszkád lézereket és infravörös fénykibocsátó eszközöket lehet létrehozni. Ezek az infravörös eszközök jó eséllyel használhatók az alacsony veszteségű szálas kommunikációban és a gázfelügyeletben. Ezen túlmenően az InAs egykristályok elektronmobilitásuk miatt tökéletes anyag a Hall eszközökhöz.

 

Általános SPECCS

Méret

2"

3"

4"

Tájolás

(100)±0,1 fok

(100)±0,1 fok

(100)±0,1 fok

Átmérő (mm)

50.5±0.5

76.2±0.4

100.0±0.5

OF orientáció

EJ

EJ

EJ

Tolerancia

±0,1 fok

±0,1 fok

±0,1 fok

OF hossz (mm)

16±2

22±2

32.5±2.5

IF Hosszúság (mm)

8±1

11±1

18±1

Vastagság (μm)

500±25

625±25

1000±25

A méret testreszabható.

Vezetőképesség és adalékanyag

Adalékanyag

Vezetőképesség típusa

CC /cm-2

Mobilitás/cm²V-1S-1

Diszlokációs sűrűség/ cm-2

Nem adalékolt

p-típusú

(1~3)x10-18

>2000

2", 3", 4" 1000 vagy annál kisebb

Igény szerint szigorúbb elektromos mérőszámokat is biztosítunk.

LAPOSSÁG

Felület

 

2"

3"

4"

Polírozott/maratott

TTV (μm)

<10

<10

<15

Íj (μm)

<8

<8

<10

Vetedés (μm)

<12

<12

<15

Polírozott/polírozott

TTV (μm)

<5

<5

<5

Íj (μm)

<5

<5

<5

Vetedés (μm)

<8

<8

<10

 

Népszerű tags: 2", 3" és 4" indium arzenid ostya, Kína 2", 3" és 4" indium arzenid ostya gyártók, beszállítók, gyár