Szia! 4 hüvelykes szilícium lapkák szállítójaként rengeteg kérdést kapok ezeknek a kis csodáknak a stresszel kapcsolatos tulajdonságairól. Úgyhogy úgy gondoltam, leülök és írok egy blogbejegyzést, hogy megosszam, amit tudok.
Először is beszéljünk arról, hogy mi a stressz a szilíciumlapkák kontextusában. A szilícium lapkák feszültsége számos forrásból származhat, például a feldolgozás során fellépő hőtágulásból és összehúzódásból, a kezelés során fellépő mechanikai erőkből, vagy akár vékony filmrétegek növekedéséből is az ostya felületén. Ezek a feszültségek jelentős hatással lehetnek a lapkákra gyártott félvezető eszközök teljesítményére és megbízhatóságára.
A 4 hüvelykes szilícium lapkák egyik legfontosabb feszültséggel kapcsolatos tulajdonsága, hogy ellenáll a hőterhelésnek. A félvezető gyártási folyamat során az ostyák széles hőmérséklet-tartományban vannak kitéve, az epitaxiális növekedés és adalékolás során használt magas hőmérséklettől a csomagolásban használt viszonylag alacsony hőmérsékletig. A szilícium hőtágulási együtthatója viszonylag alacsony, ami azt jelenti, hogy melegítés vagy hűtés hatására kevésbé tágul és húzódik össze, mint sok más anyag. Ez a tulajdonság segít minimalizálni az ostyában a feldolgozás során keletkező hőfeszültséget, csökkentve a repedés vagy vetemedés kockázatát.
A 4 hüvelykes szilícium lapkák másik fontos feszültséggel kapcsolatos tulajdonsága a mechanikai szilárdságuk. A szilícium viszonylag törékeny anyag, ami azt jelenti, hogy mechanikai igénybevétel hatására megrepedhet vagy eltörhet. A modern gyártási technikák azonban lehetővé tették nagy mechanikai szilárdságú, 4 hüvelykes szilíciumlapkák gyártását. Ezt a szilícium kristályszerkezetének gondos ellenőrzésével és fejlett polírozási és tisztítási eljárások alkalmazásával érik el a felületi hibák eltávolítására, amelyek feszültségkoncentrátorként működhetnek.
A 4 hüvelykes szilícium lapkákra a termikus és mechanikai igénybevételen túl a felületükön lévő vékony filmek növekedése által okozott feszültség is hatással lehet. Ha vékony filmet viszünk fel egy szilícium ostyára, az a fólia és az ostya hőtágulási együtthatóinak különbségei miatt feszültséget kelthet az ostyában. Ez a feszültség az ostya meggörbülését vagy meghajlását okozhatja, ami befolyásolhatja a lapkára gyártott félvezető eszközök teljesítményét. A probléma minimalizálása érdekében a gyártók különféle technikákat alkalmaznak, például a fóliát alacsony hőmérsékleten helyezik el, vagy pufferréteget alkalmaznak a film és az ostya között a feszültség csökkentése érdekében.
Most pedig beszéljünk arról, hogy a 4 hüvelykes szilíciumlapkák feszültséggel kapcsolatos tulajdonságai hogyan befolyásolhatják a félvezető eszközök teljesítményét. Az egyik fő módja annak, hogy a stressz befolyásolja az eszköz teljesítményét, ha megváltoztatja a szilícium elektromos tulajdonságait. Például a feszültség hatására megváltozhat a szilícium sávszélessége, ami befolyásolhatja az elektronok és a félvezetőben lévő lyukak mobilitását. Ez a készülék elektromos vezetőképességének megváltozásához vezethet, ami befolyásolhatja a teljesítményét.
A stressz is okozhat hibákat a szilícium rácsban, például elmozdulásokat és halmozási hibákat. Ezek a hibák az elektronok és lyukak szóródási központjaként működhetnek, csökkentve a töltéshordozók mobilitását és növelve az eszköz ellenállását. Ezenkívül a hibák rekombinációs központként is működhetnek, ami csökkentheti az eszköz hatékonyságát azáltal, hogy az elektronok és lyukak rekombinációját idézik elő, mielőtt hozzájárulnának az elektromos áramhoz.
A feszültségnek az eszközök teljesítményére gyakorolt hatásának minimalizálása érdekében a félvezetőgyártók különféle technikákat alkalmaznak, például feszültségtechnikát és hibatervezést. A feszültségtechnika olyan technikák alkalmazását foglalja magában, mint az ionimplantáció és a lágyítás, hogy szabályozott mennyiségű feszültséget vigyenek be a szilíciumlapkába az eszközök teljesítményének optimalizálása érdekében. A hibatervezés olyan technikák alkalmazását foglalja magában, mint a getterezés és az epitaxiális növekedés a szilíciumrácsban előforduló hibák számának csökkentésére.
Szóval, megvan! Rövid áttekintés a 4 hüvelykes szilícium lapkák feszültséggel kapcsolatos tulajdonságairól és arról, hogy ezek hogyan befolyásolhatják a félvezető eszközök teljesítményét. Ha a 4 hüvelykes szilícium ostyákat keresi, azt javasoljuk, hogy nézze meg nálunk4 hüvelykes szilícium ostya (100 mm). mi is kínálunk5 hüvelykes szilícium ostya (125 mm)és12 hüvelykes szilícium ostya (300 mm)ha más méretre van szüksége.
Ha bármilyen kérdése van termékeinkkel kapcsolatban, vagy szeretné megvitatni konkrét igényeit, kérjük, forduljon bizalommal. Mindig szívesen segítünk, és várjuk, hogy együtt dolgozhassunk, hogy megtaláljuk az Ön igényeinek megfelelő megoldást.
Referenciák:
- "Félvezető fizika és eszközök", Donald A. Neamen
- "Szilíciumfeldolgozás a VLSI-korszakhoz", S. Wolf és RN Tauber
- M. Elwenspoek és R. Wiegerink "Szilícium alapú MEMS anyagok és technológiák kézikönyve"