A 4 hüvelykes szilícium ostyák szállítójaként termékeink minőségének biztosítása rendkívül fontos. A szilícium ostyák képezik a modern félvezető gyártás alapját, és bármilyen hiba vagy hiányosság jelentős hatással lehet a végső elektronikus eszközök teljesítményére és megbízhatóságára. Ebben a blogbejegyzésben megosztom néhány általános módszert és technikát, amelyet a 4 hüvelykes szilikon ostyák minőségének tesztelésére használnak.
Vizuális ellenőrzés
A szilícium ostyák minőségének tesztelésének első lépése a vizuális ellenőrzés. Ezt mikroszkóppal vagy nagy felbontású kamerával lehet megtenni. A vizuális ellenőrzés során olyan látható hibákat keresünk, mint a karcolások, repedések, gödrök vagy részecskék az ostya felületén. Ezeket a hibákat különféle tényezők okozhatják, beleértve a kezelési, gyártási folyamatok vagy a környezeti feltételeket.
Az ostya felületén lévő karcolások az elektromos útvonalak megzavarásával befolyásolhatják a félvezető eszközök teljesítményét. A repedések az ostya mechanikai meghibásodásához vezethetnek, míg a gödrök és a részecskék rövidzárlatokat vagy más elektromos problémákat okozhatnak. Az ostya felületének gondos vizsgálatával azonosíthatjuk és eltávolíthatjuk a hibás ostyákat, mielőtt azokat a gyártási folyamatban felhasználnánk.
Vastagságmérés
A szilícium ostya vastagsága kritikus paraméter, amely befolyásolhatja annak teljesítményét és feldolgozását. Az egyenletes vastagság elengedhetetlen a következetes elektromos tulajdonságok és az eszköz megfelelő működésének biztosításához. A 4 hüvelykes szilícium ostya vastagságának mérésére egy precíz vastagságmérővel használunk.
A vastagságmérő úgy működik, hogy megméri az ostya felületén lévő két pont közötti távolságot. Ha több mérést végezünk az ostya különböző helyein, meghatározhatjuk az ostya átlagos vastagságát és vastagságát. A vastagság jelentős változásai jelezhetik a gyártási folyamat problémáját vagy a nyersanyagok minőségét.
Felületi érdesség mérése
A szilícium ostya felületi érdessége szintén jelentős hatással lehet annak teljesítményére. Sima felületre van szükség a félvezető anyagok megfelelő tapadásához és a jó elektromos érintkezés biztosításához. A 4 hüvelykes szilícium ostya felületi érdességének mérésére profilométerrel használunk.
A profilométer egy olyan eszköz, amely egy anyag felületi topográfiáját méri az érintőceruza vagy a lézernyaláb szkennelésével a felületen. A profilométerrel összegyűjtött adatok elemzésével meghatározhatjuk az ostya átlagos felületi érdességét és felületi textúráját. A durva felület olyan problémákat okozhat, mint a rossz tapadás, a megnövekedett elektromos ellenállás és az eszközök csökkentése.
Elektromos tesztelés
Az elektromos tesztelés egy másik fontos módszer a szilícium ostyák minőségének értékelésére. Ez magában foglalja az ostya elektromos tulajdonságainak, például az ellenállás, a hordozó koncentrációjának és a mobilitásának mérését. Ezek a tulajdonságok kritikusak a félvezető eszközök teljesítményének és megbízhatóságának meghatározása szempontjából, amelyeket az ostyán készítenek.
Az elektromos tesztek elvégzéséhez különféle technikákat alkalmazunk, beleértve a négypontos szonda mérését, a Hall Effect mérését és a kapacitási feszültség mérését. Ezek a technikák lehetővé teszik számunkra, hogy pontosan megmérjük az ostya elektromos tulajdonságait, és felismerjük az anyag hibáit vagy variációit.
Kristályszerkezet -elemzés
A szilícium ostya kristályszerkezete szintén fontos tényező, amely befolyásolhatja annak teljesítményét. A kiváló minőségű szilícium ostya egyenletes és hibamentes kristályszerkezetnek kell lennie. A 4 hüvelykes szilícium ostya kristályszerkezetének elemzéséhez olyan technikákat alkalmazunk, mint a röntgendiffrakció és a transzmissziós elektronmikroszkópia.
A röntgendiffrakció egy olyan technika, amely röntgenfelvételeket használ az anyag kristályszerkezetének elemzésére. A röntgen diffrakciós mintázatának mérésével meghatározhatjuk a rács paramétereit és az ostya kristály orientációját. A transzmissziós elektronmikroszkópia egy fejlettebb módszer, amely lehetővé teszi számunkra, hogy közvetlenül megfigyeljük az ostya kristályszerkezetét atomszinten.
Kémiai elemzés
A kémiai elemzés egy másik fontos szempont a szilícium ostyák minőségének tesztelésében. Ez magában foglalja az ostya kémiai összetételének elemzését annak biztosítása érdekében, hogy megfeleljen a szükséges előírásoknak. A szilícium ostya kémiai összetétele befolyásolhatja annak elektromos tulajdonságait, mechanikai tulajdonságait és feldolgozási jellemzőit.
A kémiai elemzés elvégzéséhez olyan technikákat alkalmazunk, mint az energia-diszpergáló röntgen-spektroszkópia (EDS) és a másodlagos ion tömegspektrometria (SIMS). Ezek a technikák lehetővé teszik számunkra, hogy pontosan megmérjük az ostya elemi összetételét, és észleljük a szennyeződéseket vagy szennyeződéseket.
Következtetés
A 4 hüvelykes szilikon ostyák minőségének tesztelése egy összetett és többlépcsős folyamat, amely különféle technikák és berendezések alkalmazását igényli. Az ostya felületének alapos vizsgálatával, vastagságának és felületének érdességének mérésével, elektromos tesztelés elvégzésével, kristályszerkezetének elemzésével és kémiai elemzés elvégzésével biztosíthatjuk, hogy a szilícium ostyuk megfeleljenek a legmagasabb minőségi előírásoknak.
Cégünkben elkötelezettek vagyunk azért, hogy ügyfeleink számára a legmagasabb minőségű, 4 hüvelykes szilícium ostyákat biztosítsuk. A legmodernebb tesztelő berendezéseket és technikákat használjuk annak biztosítása érdekében, hogy ostyáink mentesek legyenek a hibáktól és megfeleljenek a legszigorúbb ipari előírásoknak. A 4 hüvelykes szilícium ostyákon kívül számos más szilícium-ostya terméket is kínálunk, beleértve12 hüvelykes szilícium ostya (300 mm),6 hüvelykes szilikon ostya (150 mm), és2 hüvelykes szilikon ostya (50,8 mm)-
Ha érdekli, hogy kiváló minőségű szilikon ostyákat vásároljon a félvezető gyártási igényeihez, kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot az Ön igényeinek megvitatására. Bízunk benne, hogy együttműködhetünk veled, hogy a legjobb megoldásokat nyújtsuk vállalkozásának.
Referenciák
- Smith, J. (2018). Félvezető gyártási technológia. Wiley.
- Chang, SM és Sze, SM (2018). ULSI technológia. Wiley.
- Wolf, S. (2004). Szilícium -feldolgozás a VLSI -korszakhoz, 1. kötet: Folyamat -technológia. Rácsprés.