A szilícium -oxid ostyák alapvető alkotóelemek a mikroelektronika területén, amely kulcsszerepet játszik az elektronikus eszközök széles skálájának gyártásában. Mint a szilícium -oxid ostyák vezető szállítója, izgatott vagyok, hogy belemerülhetek ezen ostyák különféle alkalmazásaiba és jelentőségébe a mikroelektronikai iparban.
1. Bevezetés a szilícium -oxid ostyákba
A szilícium -oxid ostyákat általában egy szilícium ostya termikus oxidálásával készítik. A kapott szilícium -dioxid (SIO₂) rétegnek számos egyedi tulajdonsága van, amelyek a mikroelektronikában nagyon értékesek. Kiváló elektromos szigetelő, jó kémiai stabilitással rendelkezik, és sima és sima felületet biztosíthat a későbbi feldolgozási lépésekhez.
A termikus oxidáció folyamata magában foglalja a szilícium ostya melegítését oxigénben gazdag környezetben. A termikus oxidációnak két fő típusa van: száraz oxidáció és nedves oxidáció. A száraz oxidáció magas színvonalú, sűrű szilícium -dioxidréteget eredményez, amelyet gyakran használnak olyan alkalmazásokban, ahol vékony és pontos oxidrétegre van szükség. A nedves oxidáció viszont gyorsabb, és vastagabb oxidrétegeket eredményezhet, amelyek alkalmazhatók olyan alkalmazásokhoz, ahol vastagabb szigetelő rétegre van szükség.
2. Szigetelés és elszigetelés az integrált áramkörökben
A szilícium -oxid ostyák egyik elsődleges felhasználása a mikroelektronikában a szigetelés és az izolálás az integrált áramkörökben (ICS). Egy IC -ben több elektronikus alkatrész, például tranzisztorok, ellenállók és kondenzátorok készülnek egyetlen szilikon chipen. Az ezen alkatrészek közötti elektromos interferencia elkerülése érdekében szigetelőként egy szilícium -oxidréteget használnak.
Például egy fém - oxid - félvezető mező - effektus tranzisztor (MOSFET) esetén a szilícium -oxidréteg a kapu dielektrikumként működik. A kapu dielektromos elválasztja a kapu elektródját a félvezető csatornától. Ez a szigetelés elengedhetetlen az áram áramlásának a csatornán történő szabályozásához. Ha feszültséget kell alkalmazni a kapu elektródára, egy elektromos mezőt hoznak létre a szilícium -oxidrétegen, amely vonzza vagy visszatarthatja a töltőhordozókat a félvezető csatornán, ezáltal a tranzisztort be- vagy kikapcsolva.
A szilícium -oxid izolációs rétegként is szolgál az IC különböző komponensei között. A sekély árok izolálása (STI) a modern IC gyártásban alkalmazott általános módszer. Az STI -ben az árokokat a szilícium ostyába maratják, majd szilícium -oxiddal töltik be. Ezek az oxiddal töltött árkok elkülönítik az egyes tranzisztorokat és más alkatrészeket egymástól, megakadályozva az elektromos szivárgást és az áthallást.
3. Passzivációs rétegek
A szilícium -oxid ostyákat passzivációs rétegek kialakítására használják az elektronikus eszközök felületén. A passzivációs réteg megvédi a mögöttes félvezető anyagot olyan környezeti tényezőktől, mint a nedvesség, az oxigén és a szennyező anyagok. Ezenkívül megakadályozza a szennyeződések diffúzióját a félvezetőbe, ami ronthatja az eszköz teljesítményét.
A védelem mellett a passzivációs rétegek javíthatják a készülék elektromos teljesítményét is. Például csökkenthetik a felszíni szivárgási áramokat és javíthatják az eszköz megbízhatóságát. A napelemek gyártása során szilícium -oxid -passzivációs réteg alkalmazható a szilícium ostya felületére. Ez a réteg csökkenti a töltőhordozók rekombinációját a felületen, ezáltal növelve a napelem hatékonyságát.
4. Fotolitográfia maszkolás
A fotolitográfia a mikroelektronika gyártásának kulcsfontosságú folyamata, amelyet az IC különféle rétegeinek mintázatához használnak. A szilícium -oxid ostyákat maszkoló anyagként használják a fotolitográfiában. Egy réteg szilícium -oxidot helyeznek el a szilícium ostyára, majd fotorezistát alkalmaznak az oxidréteg tetejére.
A fotorezist egy fotomaszkon keresztül ultraibolya fénynek van kitéve, amely tartalmazza a kívánt mintát. Ezután eltávolítják a fotorezist kitett vagy nem kitűzött régióit, attól függően, hogy pozitív vagy negatív fotorezistát használnak -e. A fennmaradó fotoreziszta maszkként működik az alapjául szolgáló szilícium -oxidréteg maratásához. Miután a szilícium -oxidréteget maratják, maszkként használható további feldolgozási lépésekhez, például dopping vagy fém lerakódáshoz.
5. MEMS alkalmazások
A mikro -elektro -mechanikai rendszerek (MEMS) egy másik fontos terület, ahol a szilícium -oxid ostyákat széles körben használják. A MEMS eszközök egyesítik a mechanikai és az elektromos alkatrészeket egyetlen chipen, és a szilícium -oxid számos fontos szerepet játszik a gyártásban.
A szilícium -oxid áldozati rétegként használható a MEMS gyártásában. Az áldozati réteg egy ideiglenes réteg, amelyet a gyártási folyamat során eltávolítanak, hogy mozgatható vagy felfüggesztett struktúrákat hozzanak létre. Például egy MEMS gyorsulásmérő gyártása során egy szilícium -oxidréteg lerakódik a szilícium ostyára. Ezután egy szerkezeti réteget (például poliszilikon) helyeznek el az oxidréteg tetejére. A szerkezeti réteg mintázása után a szilícium -oxid -áldozati réteget elárasztják, így a mozgatható gyorsulásmérő szerkezete marad.
A szilícium -oxid szerkezeti anyagként is felhasználható a MEMS eszközökben. Jó mechanikai tulajdonságokkal rendelkezik, mint például a magas merevség és az alacsony stressz, amelyek alkalmassá teszik a mikro -mechanikai szerkezetek létrehozására.
6. Termékünk: 76 mm - 300 mm maratott szilícium ostya (3 " - 12")
Szállóként magas színvonalú minőséget kínálunk76 mm - 300 mm -es maratott szilícium ostya (3 " - 12")- Ezeket az ostyákat pontosan maratják, hogy megfeleljenek a mikroelektronikai ipar szigorú követelményeinek. A maratási folyamat biztosítja a sima és egységes felületet, amely elengedhetetlen a következő gyártási lépésekhez.
Szilícium -oxid ostyáink méretek tartományban kaphatók 76 mm (3 hüvelyk) és 300 mm (12 hüvelyk) között. A nagyobb ostyaméretek egyre népszerűbbé válnak a mikroelektronikai iparban, mivel lehetővé teszik, hogy több chipet készítsenek ostyánként, csökkentve a chipenkénti költségeket.
Fejlett gyártási technikákat alkalmazunk az ostyák kiváló minőségének és konzisztenciájának biztosítása érdekében. Minőség -ellenőrzési intézkedéseink között szerepel a ostya vastagságának, az oxidréteg egységességének és a felületi érdesség szigorú ellenőrzése. Ez biztosítja, hogy az ostyáink megfeleljenek a mikroelektronika iparának legmagasabb színvonalának.
7. Következtetés és cselekvésre ösztönzés
A szilícium -oxid ostyák nélkülözhetetlenek a mikroelektronikai iparban, az alkalmazások az integrált áramköröktől a MEMS -eszközökig terjednek. Egyedülálló tulajdonságaik miatt ideálissá teszik a szigeteléshez, a passzivációhoz, a fotolitográfiához és más kulcsfontosságú folyamatokhoz.
Mint megbízható szilícium -oxid ostya szállítója, elkötelezettek vagyunk azért, hogy magas színvonalú termékeket biztosítsunk, amelyek megfelelnek ügyfeleink változatos igényeinek. Ha részt vesz a mikroelektronikai iparban, és megbízható partnert keres a szilícium -oxid ostya igényeihez, felkérjük Önt, hogy vegye fel velünk a kapcsolatot beszerzés és további megbeszélések céljából. Alig várjuk, hogy együtt dolgozzunk veled a projektek támogatása és a mikroelektronika területének előmozdításához.
Referenciák
- Sze, SM és NG, KK (2007). A félvezető eszközök fizikája. Wiley.
- Madou, MJ (2002). A mikrofabrication alapjai: a miniatürizáció tudománya. CRC Press.
- Jaeger, RC (2002). Mikroelektronikus áramkör kialakítása. McGraw - Hill.